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半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模與競爭態(tài)勢(shì)分析

1、半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備行業(yè)概況

半導(dǎo)體設(shè)備分類由半導(dǎo)體制造工藝衍生而來，從工藝角度看，主要可以分為：光刻、刻蝕、薄膜沉積、質(zhì)量控制、清洗、CMP、離子注入、氧化等環(huán)節(jié)。

傳統(tǒng)的集成電路工藝主要分為前道和后道，隨著集成電路行業(yè)的不斷發(fā)展進(jìn)步，后道封裝技術(shù)向晶圓級(jí)封裝發(fā)展，從而衍生出先進(jìn)封裝工藝。先進(jìn)封裝工藝指在未切割的晶圓表面通過制程工藝以實(shí)現(xiàn)高密度的引腳接觸，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)封裝以及2.5/3D等集成度更高、尺度更小的器件的生產(chǎn)制造。鑒于此，集成電路工藝進(jìn)一步細(xì)分為前道制程、中道先進(jìn)封裝和后道封裝測試。

質(zhì)量控制環(huán)節(jié)貫穿于集成電路領(lǐng)域整個(gè)生產(chǎn)過程，可進(jìn)一步分為前道檢測、中道檢測和后道測試，半導(dǎo)體質(zhì)量控制通常也廣義地表達(dá)為檢測。其中，前道檢測主要是針對(duì)光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等每個(gè)工藝環(huán)節(jié)的質(zhì)量控制的檢測；中道檢測面向先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)，主要為針對(duì)重布線結(jié)構(gòu)、凸點(diǎn)與硅通孔等環(huán)節(jié)的質(zhì)量控制；后道測試主要是利用電學(xué)對(duì)芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測試，主要包括晶圓測試和成品測試兩個(gè)環(huán)節(jié)。

應(yīng)用于前道制程和先進(jìn)封裝的質(zhì)量控制根據(jù)工藝可細(xì)分為檢測（Inspection）和量測（Metrology）兩大環(huán)節(jié)。檢測指在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中，檢測其是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對(duì)芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；量測指對(duì)被觀測的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測。

半導(dǎo)體檢測與量測技術(shù)

資料來源：普華有策

根據(jù)檢測類型的不同，半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備可分為檢測設(shè)備和量測設(shè)備。隨著技術(shù)的進(jìn)步發(fā)展，集成電路前道制程的步驟越來越多，工藝也更加復(fù)雜。28nm工藝節(jié)點(diǎn)的工藝步驟有數(shù)百道工序，由于采用多層套刻技術(shù)，14nm及以下節(jié)點(diǎn)工藝步驟增加至近千道工序。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，工藝節(jié)點(diǎn)每縮減一代，工藝中產(chǎn)生的致命缺陷數(shù)量會(huì)增加50%，因此每一道工序的良品率都要保持在非常高的水平才能保證最終的良品率。當(dāng)工序超過500道時(shí)，只有保證每一道工序的良品率都超過99.99%，最終的良品率方可超過95%；當(dāng)單道工序的良品率下降至99.98%時(shí)，最終的總良品率會(huì)下降至約90%，因此，制造過程中對(duì)工藝窗口的挑戰(zhàn)要求幾乎“零缺陷”。檢測和量測環(huán)節(jié)貫穿制造全過程，是保證芯片生產(chǎn)良品率非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。隨著制程越來越先進(jìn)、工藝環(huán)節(jié)不斷增加，行業(yè)發(fā)展對(duì)工藝控制水平提出了更高的要求，制造過程中檢測設(shè)備與量測設(shè)備的需求量將倍增。

2、半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模分析

近年來，得益于中國半導(dǎo)體全行業(yè)的蓬勃發(fā)展和國家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)的政策扶持，行業(yè)下游晶圓廠在關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)持續(xù)推進(jìn)，多家國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)張期，中國大陸半導(dǎo)體檢測與量測設(shè)備的市場迎來高速發(fā)展期。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年中國大陸半導(dǎo)體檢測與量測設(shè)備市場規(guī)模達(dá)到43.60億美元，2019年至2024年的年均復(fù)合增長率達(dá)到26.7%。

2019年-2024年中國大陸半導(dǎo)體檢測與量測設(shè)備市場規(guī)模分析

資料來源：普華有策

3、半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備行業(yè)競爭格局

半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備具有技術(shù)門檻高、研發(fā)投入大、投資周期長等特點(diǎn)，國外龍頭企業(yè)起步較早，憑借多年的技術(shù)沉淀、產(chǎn)品線布局和品牌口碑積累，構(gòu)建較強(qiáng)的競爭壁壘。根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年度中國大陸半導(dǎo)體檢測和量測設(shè)備市場呈現(xiàn)國外設(shè)備企業(yè)壟斷的格局，主要企業(yè)包括科磊半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、雷泰光電等，其中，科磊半導(dǎo)體一家獨(dú)大，市場份額占比為64.29%，前五大公司合計(jì)市場份額占比為84.52%，均為國外廠商。

2023年中國大陸半導(dǎo)體檢測與量測設(shè)備市場競爭格局情況

資料來源：普華有策

《2025-2031年半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備行業(yè)細(xì)分市場調(diào)研及投資可行性分析報(bào)告》涵蓋行業(yè)全球及中國發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場規(guī)模，產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競爭格局、上游原料情況、下游主要應(yīng)用市場需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場集中度、重點(diǎn)企業(yè)/玩家，企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動(dòng)因素、市場前景預(yù)測，投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容。同時(shí)北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場專項(xiàng)調(diào)研項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告、專精特新小巨人認(rèn)證、市場占有率報(bào)告、十五五規(guī)劃、項(xiàng)目后評(píng)價(jià)報(bào)告、BP商業(yè)計(jì)劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍(lán)白皮書、國家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)認(rèn)證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。（PHPOLICY:GYF）