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2025-2031投資指南：半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈全景圖與潛力企業(yè)盤點(diǎn)

1、半導(dǎo)體及其測(cè)試設(shè)備行業(yè)概況及分類情況

（1）半導(dǎo)體行業(yè)概況

半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間，且導(dǎo)電性能可控的材料，半導(dǎo)體器件可分為集成電路、分立器件、光電子器件以及傳感器四大類，廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通訊、汽車電子、消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體行業(yè)作為現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心，在推動(dòng)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、提高人民生活水平和保障國(guó)家安全等方面發(fā)揮著重要的作用，是當(dāng)今國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)和衡量一個(gè)國(guó)家現(xiàn)代化程度以及綜合國(guó)力的重要標(biāo)志之一。

（2）半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的分類

A.按照測(cè)試對(duì)象分類

按測(cè)試領(lǐng)域分類，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的測(cè)試對(duì)象包括集成電路、分立器件、光電子芯片、傳感器，其中：集成電路包括模擬芯片、邏輯芯片、微處理器、存儲(chǔ)芯片等，分立器件包括功率器件等。

B.按照測(cè)試類別分類

按照半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中接受的測(cè)試類別分類，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可以分為功能測(cè)試設(shè)備、參數(shù)測(cè)試設(shè)備和可靠性測(cè)試設(shè)備。

C.按照測(cè)試環(huán)節(jié)分類

按測(cè)試環(huán)節(jié)分類，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可以分為晶圓級(jí)測(cè)試設(shè)備、裸芯片級(jí)測(cè)試設(shè)備和封裝級(jí)芯片測(cè)試設(shè)備等。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的覆蓋情況

資料來(lái)源：普華有策

2、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)系

半導(dǎo)體制造過(guò)程中存在顆粒、互聯(lián)、靜電損傷等工藝缺陷，隨著半導(dǎo)體前道制程步驟增多，缺陷數(shù)量也隨之增加，根據(jù)電子系統(tǒng)故障檢測(cè)中的“十倍法則”，若芯片廠商未能及時(shí)發(fā)現(xiàn)芯片故障，則需在下一階段耗費(fèi)十倍的成本以排查和處理故障。因此，隨著芯片生產(chǎn)成本的提升，半導(dǎo)體測(cè)試的重要性也日漸凸顯。當(dāng)前，隨著半導(dǎo)體制造工藝難度提升，Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)快速發(fā)展，為確保芯片的良率與可靠性，測(cè)試環(huán)節(jié)的專業(yè)性和復(fù)雜度明顯提升。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備貫穿于半導(dǎo)體制造過(guò)程，以監(jiān)測(cè)與優(yōu)化半導(dǎo)體制造工藝、提高最終良品率為目的，是保障器件良品率的關(guān)鍵設(shè)備。隨著芯片制程的提升、化合物半導(dǎo)體材料的引入，半導(dǎo)體器件制造工序逐漸復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備要求愈加提高。

半導(dǎo)體測(cè)試是監(jiān)測(cè)與優(yōu)化半導(dǎo)體制造的工藝，以提高半導(dǎo)體器件良品率為目的，貫穿于半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到制造的全過(guò)程。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

資料來(lái)源：普華有策

在集成電路設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備用于對(duì)晶圓樣品進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試，從而保證樣品符合設(shè)計(jì)要求。

在晶圓制造環(huán)節(jié)中，測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)用于晶圓的電性參數(shù)及功能測(cè)試。其中，探針臺(tái)將晶圓傳送到指定測(cè)試位置后，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，通過(guò)對(duì)比輸出信號(hào)與預(yù)期值來(lái)判斷芯片是否符合要求。

在封裝測(cè)試環(huán)節(jié)中，首先需要對(duì)芯片進(jìn)行CP測(cè)試、WLR測(cè)試以及KGD測(cè)試等，通過(guò)測(cè)試的芯片則可進(jìn)入封裝流程。在封裝環(huán)節(jié)結(jié)束后，測(cè)試機(jī)和分選機(jī)對(duì)成品進(jìn)行FT測(cè)試。分選機(jī)將封裝后的芯片傳送到指定位置后，測(cè)試機(jī)對(duì)其施加輸入信號(hào)，通過(guò)對(duì)比輸出信號(hào)與預(yù)期值來(lái)判斷芯片是否符合要求，并由分選機(jī)在對(duì)不符合要求的芯片進(jìn)行標(biāo)記和篩除。

3、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

2022年至2023年，受全球消費(fèi)電子等終端市場(chǎng)需求萎靡及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體資本性支出增長(zhǎng)不及預(yù)期等因素影響，全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備增速明顯放緩。2024年，在人工智能、高性能計(jì)算（HPC）的高速發(fā)展、汽車電子及消費(fèi)電子回暖等因素的驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體市場(chǎng)整體呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)，拉動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備增速回升，同比增長(zhǎng)10.15%，發(fā)展仍呈現(xiàn)長(zhǎng)期向好的趨勢(shì)。

2020-2029年全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

4、光電子器件測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

光芯片技術(shù)的迭代帶動(dòng)了測(cè)試需求的增長(zhǎng)。一方面，硅光芯片在激光雷達(dá)、光子計(jì)算等領(lǐng)域的應(yīng)用推動(dòng)了對(duì)更高精度和更廣測(cè)試范圍的需求。另一方面，全球通信系統(tǒng)對(duì)光芯片速率的要求提高，增加了測(cè)試設(shè)備的精度和效率需求。隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)和AI等新興技術(shù)的推進(jìn)，光電子器件的測(cè)試要求不斷提升。預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體光電器件測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)從2020年的5.7億美元增長(zhǎng)至2029年的13.1億美元。

2024-2029年全球半導(dǎo)體光電器件測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

中國(guó)半導(dǎo)體光電器件測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)的走勢(shì)與全球市場(chǎng)基本一致，其規(guī)模從2020年的14.8億元增至2024年的21.0億元，預(yù)計(jì)2029年達(dá)38.5億元。

2024-2029年中國(guó)半導(dǎo)體光電器件測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億元）

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5、功率器件測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

WLBI測(cè)試設(shè)備能夠在晶圓級(jí)別對(duì)裸芯片進(jìn)行并行測(cè)試，相較于傳統(tǒng)的測(cè)試方法，具有更低的成本和更高的效率。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)成本和效率的關(guān)注度不斷提高，主要面向車規(guī)級(jí)測(cè)試需求的碳化硅功率器件WLBI測(cè)試設(shè)備的市場(chǎng)需求也隨之增長(zhǎng)。

2024-2029年全球碳化硅功率器件WLBI測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

2024-2029年中國(guó)碳化硅功率器件WLBI測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億元）

資料來(lái)源：普華有策

全球碳化硅功率器件WLBI測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在2024年達(dá)到2.2億美元，預(yù)計(jì)2029年增至6.1億美元；中國(guó)碳化硅功率器件WLBI測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)在2024年的市場(chǎng)規(guī)模為3.6億元，預(yù)計(jì)2029年增至15.0億元。

6、碳化硅功率器件KGD測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

功率器件在驅(qū)動(dòng)電機(jī)、調(diào)節(jié)電壓和控制電流等方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，因此對(duì)其可靠性和性能的測(cè)試需求也在增加，KGD測(cè)試可減少芯片封裝后因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致的良率損失，測(cè)試設(shè)備的市場(chǎng)需求也隨之增長(zhǎng)。

2024-2029年全球碳化硅功率器件KGD測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

2024-2029年中國(guó)碳化硅功率器件KGD測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億元）

資料來(lái)源：普華有策

全球碳化硅功率器件KGD測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在2024年達(dá)到0.9億美元，預(yù)計(jì)2029年增至3.9億美元；中國(guó)碳化硅功率器件KGD測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)在2024年的市場(chǎng)規(guī)模為1.2億元，預(yù)計(jì)2029年增至6.9億元。

7、電性能測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

（1）WAT測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

全球半導(dǎo)體WAT測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)在2020至2023年間經(jīng)歷了較快發(fā)展。2024年，受晶圓廠新建產(chǎn)能不足影響，半導(dǎo)體WAT測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模略有下滑?？傮w而言，全球半導(dǎo)體WAT測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模以10.9%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，從2020年的4.0億美元增至2024年的6.0億美元，預(yù)計(jì)2029年增至13.6億美元。

2024-2029年全球半導(dǎo)體WAT測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

中國(guó)半導(dǎo)體WAT測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)由2020年的6.2億元增至2024年的9.7億元，期間年復(fù)合增長(zhǎng)率為11.7%，預(yù)計(jì)2029年增至26.8億元。

2024-2029年中國(guó)半導(dǎo)體WAT測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億元）

資料來(lái)源：普華有策

（2）WLR測(cè)試設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

WLR測(cè)試設(shè)備可以在晶圓級(jí)別對(duì)器件進(jìn)行批量可靠性測(cè)試，相較于傳統(tǒng)的封裝級(jí)測(cè)試，具有更低的成本和更高的效率。全球半導(dǎo)體WLR測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)從2020年的1.2億美元增至2024年的1.9億美元，預(yù)計(jì)2029年增至3.5億美元。

2024-2029年全球半導(dǎo)體WLR測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

資料來(lái)源：普華有策

中國(guó)半導(dǎo)體WLR測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)由2020年的1.7億元增至2024年的3.2億元，期間年復(fù)合增長(zhǎng)率為17.6%，預(yù)計(jì)2029年增至6.9億元。

2024-2029年中國(guó)半導(dǎo)體WLR測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億元）

資料來(lái)源：普華有策

8、行業(yè)進(jìn)入壁壘

（1）技術(shù)壁壘

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)是技術(shù)和知識(shí)密集型的高科技領(lǐng)域，涉及電子信息、機(jī)械自動(dòng)化、材料科學(xué)等多個(gè)學(xué)科，用戶對(duì)設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性要求高。行業(yè)龍頭企業(yè)技術(shù)實(shí)力雄厚且經(jīng)驗(yàn)豐富，而新進(jìn)入者需要較長(zhǎng)時(shí)間積累技術(shù)和產(chǎn)品線，難以與老牌企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，行業(yè)技術(shù)更新迭代迅速，新進(jìn)者還需具備持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新能力以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化。

（2）資金投入和生產(chǎn)規(guī)模壁壘

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)需要大量資金投入，以保持技術(shù)領(lǐng)先、提升工藝和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。這包括人才建設(shè)、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)線拓展和設(shè)備更新等。由于產(chǎn)品種類繁多且性能要求不同，企業(yè)需要滿足客戶對(duì)專用設(shè)備的技術(shù)和性能需求。要獲得優(yōu)質(zhì)客戶訂單，還需通過(guò)嚴(yán)格認(rèn)證，成為合格供應(yīng)商，認(rèn)證前提是生產(chǎn)規(guī)模。因此，持續(xù)高額資金投入構(gòu)成了行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

（3）人才壁壘

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)是一個(gè)資金密集型和人才密集型的行業(yè)。為了保持技術(shù)領(lǐng)先和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，企業(yè)需要大量資金投入，包括人才建設(shè)、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)線拓展和設(shè)備更新。由于產(chǎn)品種類多且性能要求高，企業(yè)需滿足客戶的技術(shù)和性能需求，同時(shí)通過(guò)嚴(yán)格認(rèn)證，成為合格供應(yīng)商，認(rèn)證要求有一定的生產(chǎn)規(guī)模。人才方面，行業(yè)內(nèi)對(duì)技術(shù)、管理和銷售人才的需求大，且相關(guān)人才較為稀缺。企業(yè)需要投入大量時(shí)間和資金進(jìn)行人才培養(yǎng)，人才儲(chǔ)備成為新進(jìn)入企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

（4）客戶認(rèn)證壁壘

在半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)，客戶數(shù)量和客戶質(zhì)量對(duì)企業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展具有較大影響，下游客戶特別是國(guó)際知名企業(yè)認(rèn)證的周期較長(zhǎng)，設(shè)備替換意愿度低，行業(yè)頭部企業(yè)擁有顯著的客戶資源壁壘。該行業(yè)客戶資源的積累以及客戶關(guān)系的建立往往需要較長(zhǎng)時(shí)間，部分國(guó)際大型客戶的認(rèn)證審核周期可能長(zhǎng)達(dá)1-2年，下游客戶一旦選定則不會(huì)輕易更改。因此，客戶認(rèn)證難度將對(duì)新進(jìn)入企業(yè)的前期發(fā)展造成較大的不利影響。

9、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及主要企業(yè)

我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚，但在第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移后，半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商銷售規(guī)模增長(zhǎng)，技術(shù)水平顯著提升，部分產(chǎn)品已在領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。然而，在存儲(chǔ)芯片測(cè)試和SoC芯片測(cè)試等細(xì)分市場(chǎng)，仍被海外龍頭如Advantest、Teradyne主導(dǎo)，技術(shù)差距存在。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備包括光通信測(cè)試設(shè)備、功率器件測(cè)試設(shè)備和半導(dǎo)體集成電路電性能測(cè)試設(shè)備等。

（1）光電子器件測(cè)試設(shè)備

2024年中國(guó)光電子器件測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為21.0億元，聯(lián)訊儀器貢獻(xiàn)5.2%的市場(chǎng)份額，位列國(guó)內(nèi)市場(chǎng)第一。

（2）功率器件測(cè)試設(shè)備

2024年中國(guó)碳化硅功率器件晶圓級(jí)老化系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模為3.6億元，預(yù)計(jì)2024-2029年以33%的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，到2029年將達(dá)15.0億元。聯(lián)訊儀器占據(jù)43.6%的市場(chǎng)份額，位居國(guó)內(nèi)第一。2023-2024年，中國(guó)碳化硅功率芯片KGD分選測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模為2.2億元，預(yù)計(jì)2024-2029年以42%的CAGR增長(zhǎng)，到2029年達(dá)6.9億元。SPEA、Pentamaster等海外企業(yè)占多數(shù)份額，聯(lián)訊儀器以12.1%的市場(chǎng)份額位居國(guó)內(nèi)第三，且是本土企業(yè)中市場(chǎng)份額Z高的。

（3）電性能測(cè)試設(shè)備

2024年中國(guó)WAT測(cè)試機(jī)和晶圓級(jí)可靠性測(cè)試系統(tǒng)的市場(chǎng)份額大部分被Keysight、QualiTau等海外企業(yè)所占據(jù)；隨著聯(lián)訊儀器電性能測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品持續(xù)市場(chǎng)拓展，聯(lián)訊儀器的市場(chǎng)份額有望持續(xù)提升。

行業(yè)內(nèi)企業(yè)情況

資料來(lái)源：普華有策

《2025-2031年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)分產(chǎn)品調(diào)研及前景研究預(yù)測(cè)報(bào)告》，涵蓋行業(yè)全球及中國(guó)發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場(chǎng)規(guī)模，產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競(jìng)爭(zhēng)格局、上游原料情況、下游主要應(yīng)用市場(chǎng)需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)集中度、重點(diǎn)企業(yè)/玩家，企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動(dòng)因素、市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)，投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容。同時(shí)北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告、專精特新小巨人認(rèn)證、市場(chǎng)占有率報(bào)告、十五五規(guī)劃、項(xiàng)目后評(píng)價(jià)報(bào)告、BP商業(yè)計(jì)劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍(lán)白皮書、國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)認(rèn)證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。（PHPOLICY:MJ）