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半導(dǎo)體分立器件行業(yè)利潤及技術(shù)水平分析(附報(bào)告目錄)
發(fā)布日期:2020-08-01 09:46:04

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)利潤及技術(shù)水平分析(附報(bào)告目錄)

1、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)競爭格局

經(jīng)過多年的發(fā)展,國內(nèi)廠商在中低端分立器件產(chǎn)品的技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品品質(zhì)上已有很大提升,但在部分高端產(chǎn)品領(lǐng)域仍與國外廠商有較大的差距。由于國外公司控制著核心技術(shù)、關(guān)鍵元器件、關(guān)鍵設(shè)備、品牌和銷售渠道,國內(nèi)銷售的高端半導(dǎo)體功率器件仍舊依賴海外進(jìn)口。面對(duì)廣闊的市場前景,國內(nèi)廠商在技術(shù)水平和市場份額的提升上仍有較大的開拓空間。我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)起步較晚,近年來在國家產(chǎn)業(yè)政策的鼓勵(lì)和行業(yè)技術(shù)水平不斷提升等多重利好因素推動(dòng)下,行業(yè)內(nèi)部分企業(yè)以國外先進(jìn)技術(shù)發(fā)展為導(dǎo)向,逐步形成了以自主創(chuàng)新、突破技術(shù)壟斷、替代進(jìn)口為特點(diǎn)的發(fā)展模式。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)內(nèi),新潔能等部分企業(yè)掌握了 MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品的核心技術(shù),通過產(chǎn)品的高性價(jià)比不斷提高市場占有率,在與國外廠商的競爭中逐步形成了自身的競爭優(yōu)勢。

相關(guān)報(bào)告北京普華有策信息咨詢有限公司《2020-2026年半導(dǎo)體分立器件行業(yè)深度調(diào)研及投資戰(zhàn)略咨詢報(bào)告

2、行業(yè)利潤水平趨勢及原因

(1)變動(dòng)趨勢

近年來,我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)平均利潤水平總體上呈現(xiàn)平穩(wěn)波動(dòng)態(tài)勢,在不同應(yīng)用領(lǐng)域及細(xì)分市場行業(yè)利潤水平則存在著結(jié)構(gòu)性差異。一般而言,在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,低端產(chǎn)品行業(yè)進(jìn)入門檻較低,市場競爭較為充分,導(dǎo)致該領(lǐng)域產(chǎn)品行業(yè)利潤水平相對(duì)較低。而在新興細(xì)分市場以及中高端半導(dǎo)體分立器件市場,由于產(chǎn)品技術(shù)含量高,產(chǎn)品在技術(shù)、客戶積累以及資金投入等方面具有較高的進(jìn)入壁壘,市場競爭程度相對(duì)較低,行業(yè)內(nèi)部分優(yōu)質(zhì)企業(yè)憑借自身技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈完善、質(zhì)量管理等綜合優(yōu)勢,能夠在該領(lǐng)域獲得較高的利潤率水平。

(2)變動(dòng)原因

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的利潤水平主要受到宏觀經(jīng)濟(jì)形勢和下游行業(yè)景氣度、以及行業(yè)技術(shù)水平等因素的綜合影響。

宏觀經(jīng)濟(jì)形勢及下游行業(yè)景氣程度方面。半導(dǎo)體分立器件作為基礎(chǔ)性元器件,應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子等廣泛的下游行業(yè)。宏觀經(jīng)濟(jì)形勢則直接影響該等行業(yè)的整體發(fā)展?fàn)顩r,從而傳導(dǎo)至對(duì)半導(dǎo)體分立器件的需求的變化,進(jìn)而影響半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的利潤水平。

行業(yè)技術(shù)水平方面。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè),行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)能獲取較高的利潤回報(bào)、技術(shù)水平含量較高的產(chǎn)品也一般具有較高的附加值。行業(yè)內(nèi)具有自身研發(fā)技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)品優(yōu)勢的企業(yè),能夠憑借自身的創(chuàng)新能力和產(chǎn)品控制能力,不斷推出適應(yīng)市場需求、可量產(chǎn)化的領(lǐng)先產(chǎn)品,從而維持較高的毛利率。

3、行業(yè)的技術(shù)水平及技術(shù)特點(diǎn)

(1)行業(yè)技術(shù)水平

半導(dǎo)體分立器件的技術(shù)涉及了微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)、電子線路等諸多學(xué)科、多領(lǐng)域,不同學(xué)科、領(lǐng)域知識(shí)的結(jié)合促進(jìn)行業(yè)交叉邊緣新技術(shù)的不斷發(fā)展。隨著終端應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的整體技術(shù)水平要求越來越高,半導(dǎo)體分立器件技術(shù)也在市場的推動(dòng)下不斷向前發(fā)展,新材料、低損耗高可靠性器件結(jié)構(gòu)理論、高功率密度的芯片制造與封裝工藝技術(shù)已應(yīng)用到分立器件生產(chǎn)中,行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)含量日益提高、設(shè)計(jì)及制造難度也相應(yīng)增大。

目前在日本和美國等發(fā)達(dá)國家的半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域,MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品已采用大功率集成電路等微細(xì)加工工藝進(jìn)行制作,生產(chǎn)線已大量采用 8 英寸、0.18 微米工藝技術(shù),極大提高了半導(dǎo)體分立器件的性能,從而促使其產(chǎn)品鏈不斷延伸和拓寬。發(fā)達(dá)國家現(xiàn)代半導(dǎo)體分立器件向大功率、易驅(qū)動(dòng)、低能耗和高頻化方向發(fā)展,同時(shí),新型產(chǎn)品如 SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件陸續(xù)被研發(fā)面世,并開始產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,應(yīng)用領(lǐng)域也滲透到能源技術(shù)、智能制造、激光技術(shù)和軍事科技等前沿領(lǐng)域。發(fā)達(dá)國家憑借其巨大優(yōu)勢,引領(lǐng)著半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢,并成為產(chǎn)品和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的制定者。

國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、技術(shù)水平和創(chuàng)新能力與國外存在較大的差距。國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件整體技術(shù)水平相對(duì)落后,以功率二極管、功率三極管、晶閘管和中低端 MOSFET 等產(chǎn)品為主,部分高端技術(shù)產(chǎn)品仍大量依賴進(jìn)口。通過對(duì)國際先進(jìn)技術(shù)的持續(xù)引進(jìn)、消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,國內(nèi)優(yōu)質(zhì)企業(yè)在技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量等方面已接近國際先進(jìn)水平,并憑借其成本、區(qū)域優(yōu)勢逐步實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品的進(jìn)口替代。未來,隨著技術(shù)水平的提升、高端人才的引進(jìn)以及管理經(jīng)驗(yàn)的積累,國內(nèi)優(yōu)質(zhì)企業(yè)有望進(jìn)一步對(duì)國外企業(yè)形成競爭優(yōu)勢,占據(jù)更大的市場空間。

(2)行業(yè)技術(shù)特點(diǎn)

a、對(duì)持續(xù)創(chuàng)新能力要求高

半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域存在著摩爾定律,行業(yè)整體產(chǎn)品性能逐年快速提升決定了行業(yè)內(nèi)企業(yè)一旦落后就有可能被淘汰,只有對(duì)半導(dǎo)體分立器件技術(shù)進(jìn)行持續(xù)不斷的更新升級(jí),才能在行業(yè)競爭中占有一席之地。此外,半導(dǎo)體分立器件的下游應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋面廣,終端產(chǎn)品發(fā)展迅速,應(yīng)用需求不斷變化以及技術(shù)水平不斷提高推動(dòng)了行業(yè)內(nèi)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)。半導(dǎo)體分立器件企業(yè)為適應(yīng)不同下游應(yīng)用領(lǐng)域及標(biāo)準(zhǔn)的要求,需要在產(chǎn)品種類、產(chǎn)品材料、工藝技術(shù)等方面不斷尋求新的解決方案。在發(fā)展過程中,行業(yè)形成了以功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 以及 SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體分立器件為代表的多層次產(chǎn)品結(jié)構(gòu),每種產(chǎn)品也在應(yīng)用中不斷突破原有技術(shù)瓶頸,派生出眾多規(guī)格和型號(hào)。

b、對(duì)生產(chǎn)工藝要求嚴(yán)格

半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品在下游領(lǐng)域的很多產(chǎn)品內(nèi)部發(fā)揮著重要作用。行業(yè)內(nèi)企業(yè)在通過客戶認(rèn)證后保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性是其維持與客戶長期合作關(guān)系的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體分立器件制造的工藝鏈較長,對(duì)刻蝕、光刻、氧化等工藝的均勻性、一致性要求很高,尤其是背面減薄、金屬化等特殊工序有特殊的生產(chǎn)工藝要求。

此外,封裝測試環(huán)節(jié)亦對(duì)器件整體電學(xué)性能、可靠性和質(zhì)量有著重要影響,對(duì)于這種多工藝環(huán)節(jié)的產(chǎn)品,先進(jìn)成熟的工藝是降低過程產(chǎn)品不良率和提升產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性的關(guān)鍵。成熟的生產(chǎn)工藝和精益化的生產(chǎn)理念需要企業(yè)經(jīng)歷多年工藝摸索和經(jīng)驗(yàn)積累,并在生產(chǎn)實(shí)踐中貫徹執(zhí)行;對(duì)于研發(fā)設(shè)計(jì)企業(yè)來說,不僅需要在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段提出工藝文件等核心技術(shù)文檔,還需要通過與代工廠不斷溝通、確認(rèn)以共同克服工藝難點(diǎn),從而保證產(chǎn)品的整體性能和質(zhì)量。

4、有利因素

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)利潤及技術(shù)水平分析(附報(bào)告目錄)(圖1)

(1)國家產(chǎn)業(yè)政策大力支持

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是我國支柱產(chǎn)業(yè)之一,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。發(fā)展我國半導(dǎo)體分立器件相關(guān)產(chǎn)業(yè),提升國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件研發(fā)生產(chǎn)能力是我國成為世界半導(dǎo)體制造強(qiáng)國的必由之路。國家有關(guān)部門出臺(tái)了《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》等多項(xiàng)政策為半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展提供了政策保障,明確了發(fā)展方向。此外,《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》等多項(xiàng)政策亦明確了半導(dǎo)體分立器件的地位和范圍,提出了要重點(diǎn)發(fā)展MOSFET和IGBT功率器件的要求。國家相關(guān)政策的出臺(tái)有利于半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模的增長,并進(jìn)一步促進(jìn)了半導(dǎo)體分立器件行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。

(2)下游行業(yè)市場需求廣闊

下游應(yīng)用市場的需求變動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展具有較大的牽引及驅(qū)動(dòng)作用。近年來,移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、平板電腦等新技術(shù)和新產(chǎn)品的爆發(fā)性增長推動(dòng)了消費(fèi)電子市場對(duì)分立器件產(chǎn)品的大規(guī)模需求。汽車電子、工業(yè)電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的穩(wěn)步增長也給分立器件產(chǎn)品提供了穩(wěn)定的市場需求。未來,受益于國家經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級(jí)以及新能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的應(yīng)用,新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等下游市場將催生出大量的產(chǎn)品需求。此外,下游應(yīng)用領(lǐng)域終端產(chǎn)品的更新?lián)Q代及科技進(jìn)步引致的新產(chǎn)品問市也為半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品需求提供了強(qiáng)有力支撐。下游行業(yè)的發(fā)展趨勢為半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。

(3)行業(yè)整體技術(shù)水平不斷提升

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)為技術(shù)密集型行業(yè),行業(yè)整體的技術(shù)水平較高。隨著先進(jìn)技術(shù)在下游行業(yè)的創(chuàng)新應(yīng)用,半導(dǎo)體分立器件的技術(shù)水平也不斷進(jìn)步,特別是適用性強(qiáng)、功率密度高、能耗低以及新型材料分立器件不斷出現(xiàn)。我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)經(jīng)過近十年的技術(shù)積累,已經(jīng)出現(xiàn)了能夠研發(fā)生產(chǎn)高技術(shù)、高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件的企業(yè),領(lǐng)先企業(yè)越來越多的參與到全球半導(dǎo)體分立器件供應(yīng)體系中。國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的整體技術(shù)水平有了顯著提升。芯片設(shè)計(jì)是分立器件產(chǎn)業(yè)鏈中對(duì)研發(fā)實(shí)力要求很高的環(huán)節(jié),國內(nèi)已有少數(shù)企業(yè)的技術(shù)實(shí)力逐步趕上國際主流分立器件企業(yè)。隨著芯片設(shè)計(jì)行業(yè)技術(shù)水平革新?lián)Q代速度的加快,只有保持一定的研發(fā)投入和具備較高研發(fā)實(shí)力的企業(yè)才能保持市場競爭力,在下游需求的快速增長中占據(jù)較高的市場地位。

(4)進(jìn)口替代效應(yīng)不斷凸顯

半導(dǎo)體分立器件起源于歐美,日韓后續(xù)不斷形成其自身競爭優(yōu)勢。英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等國際一流半導(dǎo)體制造企業(yè)長期占據(jù)著我國半導(dǎo)體分立器件的高端應(yīng)用市場,但該等廠商產(chǎn)品的價(jià)格十分高昂,無法滿足國內(nèi)迅速爆發(fā)的市場需求,導(dǎo)致國內(nèi)市場供求存在失衡。近年來,我國政府不斷出臺(tái)多項(xiàng)鼓勵(lì)政策,大力扶持半導(dǎo)體行業(yè)。

隨著國內(nèi)企業(yè)逐步參與到全球半導(dǎo)體分立器件市場的供應(yīng)體系,以及下游行業(yè)大力創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng),國內(nèi)企業(yè)逐步積累了較為豐富的半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)經(jīng)驗(yàn),部分優(yōu)秀企業(yè)參與到中高端半導(dǎo)體分立器件市場的競爭,并取得了一定的知名度和市場占有率。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2017年中國半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口金額為281.8億美元,相較于2014年進(jìn)口額下降了10.20%。未來,隨著國內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸,我國半導(dǎo)體分立器件對(duì)進(jìn)口的依賴將會(huì)進(jìn)一步減弱,進(jìn)口替代效應(yīng)將顯著增強(qiáng)。

5、不利因素

(1)受經(jīng)濟(jì)周期的影響較大

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展與宏觀經(jīng)濟(jì)走勢密切相關(guān)。半導(dǎo)體是最基礎(chǔ)的電子器件,產(chǎn)業(yè)的終端應(yīng)用需求面較廣,因而其需求容易受到經(jīng)濟(jì)形勢的影響。宏觀經(jīng)濟(jì)的增長放緩或下滑等不利因素將會(huì)導(dǎo)致下游行業(yè)需求減少,也將導(dǎo)致半導(dǎo)體分立器件企業(yè)收入的波動(dòng)。近幾年,全球經(jīng)濟(jì)仍處在危機(jī)后調(diào)整期,地緣政治危機(jī)不斷擾動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)。我國經(jīng)濟(jì)亦由高速增長向中高速增長轉(zhuǎn)換,經(jīng)濟(jì)的結(jié)構(gòu)性調(diào)整特征十分明顯,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)受宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)影響將日益明顯。

(2)高端產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力仍然薄弱

目前,國內(nèi)在高端分立器件的研發(fā)實(shí)力和生產(chǎn)工藝等方面與國外廠商仍存在較大的差距。在研發(fā)設(shè)計(jì)方面,國內(nèi)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體分立器件的關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)計(jì)能力的優(yōu)質(zhì)企業(yè)較少;在生產(chǎn)能力方面,國內(nèi)形成了一定的高端封裝測試能力,但在芯片產(chǎn)品制造方面,國內(nèi)尚未形成高端半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)能力。因此,國內(nèi)高端半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品上的技術(shù)實(shí)力仍然較為薄弱。

(3)行業(yè)生產(chǎn)要素成本上行壓力較大

半導(dǎo)體分立器件的上游供應(yīng)商主要為晶圓材料企業(yè)、芯片代工企業(yè)和封測服務(wù)企業(yè),晶圓材料和芯片制造僅有國內(nèi)外少數(shù)企業(yè)生產(chǎn),前十大芯片代工企業(yè)供應(yīng)了極大的市場分額,市場具有相對(duì)壟斷的特點(diǎn)。當(dāng)芯片代工整體供不應(yīng)求時(shí),行業(yè)內(nèi)企業(yè)在采購芯片代工時(shí)往往屬于價(jià)格接受者。如果其市場價(jià)格出現(xiàn)波動(dòng),將對(duì)半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)成本產(chǎn)生較大影響。目前,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的原輔料、人工、設(shè)備、能源和經(jīng)營場地等主要生產(chǎn)要素價(jià)格普遍呈上漲趨勢。雖然專業(yè)的半導(dǎo)體分立器件企業(yè)一直通過提升工藝水平及提高設(shè)備使用效率等方式來降低成本,但生產(chǎn)要素價(jià)格的普遍上漲仍將給企業(yè)帶來較大的成本壓力。