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全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模、技術(shù)演進(jìn)及企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
發(fā)布日期:2025-09-23 11:04:38

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模、技術(shù)演進(jìn)及企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)

1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器概況

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為數(shù)字信息的核心載體,是集成電路產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵分支。該類器件通過磁性材料或半導(dǎo)體等介質(zhì)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ),其存儲(chǔ)與讀取機(jī)制本質(zhì)上是電荷的存儲(chǔ)與釋放過程。作為電子系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與運(yùn)算的基礎(chǔ)載體,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是應(yīng)用范圍最廣、市場(chǎng)份額占比最高的集成電路基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。

根據(jù)斷電后數(shù)據(jù)保持能力的差異,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器與非易失性存儲(chǔ)器兩大類別,具體分類如下:

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類

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資料來源:普華有策

易失性存儲(chǔ)器又可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM);非易失性存儲(chǔ)器主要包括快閃存儲(chǔ)器(Flash)、掩膜型只讀存儲(chǔ)器(MROM)和可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM/EPROM/EEPROM)??扉W存儲(chǔ)器(Flash)的主流產(chǎn)品為NANDFlash和NORFlash。DRAM與NANDFlash在半導(dǎo)體存儲(chǔ)占據(jù)主導(dǎo)地位。

2、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模分析

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)數(shù)據(jù)顯示,2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇態(tài)勢(shì),市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到6,269億美元。其中,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器細(xì)分領(lǐng)域表現(xiàn)突出,市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1,671億美元,占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總規(guī)模的26.65%。市場(chǎng)研究顯示,該增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)預(yù)計(jì)將在2025年持續(xù),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模有望攀升至1,894億美元,屆時(shí)其占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的比重將進(jìn)一步提升至27.17%。

2020-2024年全球半導(dǎo)體及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模

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資料來源:普華有策

3、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的技術(shù)迭代呈現(xiàn)出多路徑并行的特點(diǎn),先進(jìn)制程研發(fā)與新型架構(gòu)創(chuàng)新成為兩大核心方向。在DRAM領(lǐng)域,制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)突破,SK海力士的第六代10納米級(jí)(1cnm)DRAM工藝良率已提升至約80%,滿足大規(guī)模量產(chǎn)條件,該工藝將應(yīng)用于DDR5、LPDDR6、GDDR7等產(chǎn)品。美光則率先出貨1γ(1-gamma)第六代DRAM節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品,其16GbDDR5芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)9200MT/s,較前代提升15%,功耗降低超過20%,并已應(yīng)用于EUV光刻技術(shù)。

與之形成對(duì)比的是三星在先進(jìn)DRAM制程上的延遲,其1cnmDRAM良率提升未達(dá)預(yù)期,導(dǎo)致量產(chǎn)計(jì)劃推遲至2025年底,這使得三星在HBM4等高端產(chǎn)品的布局受到一定影響。這種技術(shù)進(jìn)度的差異正在重塑市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局,尤其在AI服務(wù)器所需的高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域更為明顯。

NAND閃存技術(shù)沿著"更高堆疊、更小顆粒"的路徑演進(jìn),3D堆疊層數(shù)從100層向200層乃至300層突破。鎧俠和西部數(shù)據(jù)計(jì)劃2025年量產(chǎn)300層以上產(chǎn)品,三星則在下一代(V10)閃存芯片中計(jì)劃實(shí)現(xiàn)420-430層堆疊,并通過獲得長(zhǎng)江存儲(chǔ)的"混合鍵合"專利授權(quán)提升封裝技術(shù)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)128層3DNAND穩(wěn)定量產(chǎn),良率提升至80%以上,192層產(chǎn)品進(jìn)入試產(chǎn)階段,與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距縮小至1-2年。

新興存儲(chǔ)技術(shù)在2024年取得顯著進(jìn)展,其中阻變存儲(chǔ)器(ReRAM)商業(yè)化提速最為明顯。臺(tái)積電推出22納米嵌入式ReRAM產(chǎn)品,應(yīng)用于低功耗無線物聯(lián)網(wǎng)解決方案;國(guó)內(nèi)廠商維信諾完成世界首顆采用嵌入式ReRAM技術(shù)的AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片開發(fā),昕原半導(dǎo)體的ReRAM安全存儲(chǔ)產(chǎn)品已在工業(yè)自動(dòng)化控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商用量產(chǎn)。ReRAM憑借高速度、耐久性強(qiáng)和多位存儲(chǔ)能力等優(yōu)勢(shì),在智能汽車、邊緣AI等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊應(yīng)用前景。

磁性存儲(chǔ)器(MRAM)方面,力積電與日本PowerSpin合作推進(jìn)MRAM量產(chǎn),計(jì)劃2029年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);臺(tái)積電則持續(xù)研發(fā)STT-MRAM解決方案,其16/12納米工藝產(chǎn)品線已獲得車用市場(chǎng)訂單。這些新興技術(shù)雖然短期內(nèi)難以撼動(dòng)DRAM和NAND的主導(dǎo)地位,但在特定應(yīng)用場(chǎng)景中正逐步實(shí)現(xiàn)替代,推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)向多元化方向發(fā)展。

4、市場(chǎng)格局與競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)呈高度寡頭壟斷格局,DRAM領(lǐng)域三星、SK海力士、美光占近95%份額,2024年三星以11.8%全球半導(dǎo)體市占率居首,另兩家分別以7.7%、4.8%緊隨,均受益于AI相關(guān)需求;NAND閃存市場(chǎng)三星等五家企業(yè)占超90%,2024年一季度三星以33%領(lǐng)先,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以6%銷售額占比躋身,按容量算達(dá)13%,性價(jià)比優(yōu)勢(shì)凸顯;HBM市場(chǎng)集中度更高,三星、SK海力士占超90%,2024-2025年產(chǎn)能售罄,2025年HBM3e將成主流,售價(jià)為傳統(tǒng)DRAM的3-5倍。

中國(guó)企業(yè)正打破市場(chǎng)平衡,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)19nmDRAM量產(chǎn)、研發(fā)17nm,計(jì)劃2025年將全球份額提至10%,2024年底量產(chǎn)HBM2并規(guī)劃2026年推HBM3,通富微電加速HBM封裝布局。競(jìng)爭(zhēng)策略分化明顯,頭部企業(yè)縮減DDR4等傳統(tǒng)產(chǎn)能、擴(kuò)產(chǎn)DDR5及HBM,三星還出售西安NAND舊設(shè)備;中國(guó)企業(yè)則聚焦成熟制程規(guī)?;a(chǎn),形成差異化競(jìng)爭(zhēng)。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)有長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、通富微電、三星電子、SK海力士(SKHynix)等企業(yè)。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)情況

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資料來源:普華有策

“十五五”半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)調(diào)研及投資戰(zhàn)略規(guī)劃報(bào)告涵蓋行業(yè)全球及中國(guó)發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場(chǎng)規(guī)模,產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競(jìng)爭(zhēng)格局、上游原料情況、下游主要應(yīng)用市場(chǎng)需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)集中度、重點(diǎn)企業(yè)/玩家,企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動(dòng)因素、市場(chǎng)前景預(yù)測(cè),投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容。同時(shí)北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告、專精特新小巨人認(rèn)證、市場(chǎng)占有率報(bào)告、十五五規(guī)劃、項(xiàng)目后評(píng)價(jià)報(bào)告、BP商業(yè)計(jì)劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍(lán)白皮書、國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)認(rèn)證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。(PHPOLICY:GYF)