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存儲芯片行業(yè)未來發(fā)展發(fā)展空間廣闊(附報告目錄)
1、存儲芯片市場規(guī)模及前景預測
全球:存儲芯片是電子系統(tǒng)中存儲和計算數據的載體,是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產品之一。2018 年全球集成電路市場規(guī)模為 3,933 億美元,同比增長 14.6%,2018 年全球存儲器芯片市場規(guī)模為 1,580億美元,同比增長 27.4%,2019 年受貿易摩擦和價格下降影響,全球存儲芯片市場下降 14.1%至 1,356 億美元。未來,隨著 5G 通訊、物聯(lián)網、大數據等領域的發(fā)展,其在整個產業(yè)鏈中扮演的角色將更加重要。
中國:在國內市場,隨著中國在電子制造領域水平的不斷提升,國內存儲芯片產品的需求量逐步攀升,2018 年我國存儲芯片市場規(guī)模為 5,775 億元,同比增長 34.18%,預計 2023 年國內存儲芯片市場規(guī)模將達 6,492 億元,未來發(fā)展空間廣闊。然而中國存儲芯片的自給率僅 15.70%,比整體集成電路的自給率更低,令中國存儲芯片自主可控的需求更為迫切。
相關報告:北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年存儲芯片行業(yè)競爭格局調研及前景趨勢預測報告》
2015-2019年我國存儲芯片市場規(guī)模及增速分析
資料來源:普華有策
2、存儲芯片市場的周期性、季節(jié)性和區(qū)域性特征
存儲芯片設計行業(yè)不存在明顯的季節(jié)性和區(qū)域性,但存在周期性。
存儲芯片作為半導體產業(yè)的“風向標”,其在單價及數量上均呈現較強的周期性變化,主要系因為存儲芯片產品的通用性較高,導致各廠商在行業(yè)景氣度上行周期擴產增收、在景氣度下行周期降價清理庫存;同時存儲芯片的市場集中度較高,為了維持存儲產品的市場份額,當一家廠商在景氣度上行周期擴產時,通常其他廠商也會跟隨擴產,從而逐步造成產能過剩出現供過于求的市場情況,導致存儲芯片產品價格下跌,而行業(yè)處于產能收縮期時,由于相反的原因,最終導致市場需求大于供給,存儲芯片產品價格逐步上漲,形成一定周期性。
報告目錄:
第1章 中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展綜述
1.1 存儲芯片行業(yè)發(fā)展概述
1.1.1 存儲芯片相關定義及分類
(1)存儲芯片相關定義
(2)存儲芯片主要分類
1.1.2 存儲芯片行業(yè)發(fā)展模式概述
1.2 中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
1.2.1 行業(yè)發(fā)展經濟環(huán)境分析
1.2.2 行業(yè)發(fā)展政策環(huán)境分析
(1)行業(yè)發(fā)展主要影響政策匯總
(2)行業(yè)發(fā)展重點政策解讀
(3)政策環(huán)境對行業(yè)發(fā)展影響
1.2.3 行業(yè)發(fā)展社會環(huán)境分析
(1)居民收入與消費情況
(2)移動互聯(lián)網快速發(fā)展
(3)智能產品的普及
(4)社會環(huán)境對行業(yè)發(fā)展影響
1.2.4 行業(yè)發(fā)展技術環(huán)境分析
(1)芯片制程技術發(fā)展路線圖
(2)存儲芯片工藝技術發(fā)展概述
1.3 存儲芯片行業(yè)產業(yè)鏈分析
1.3.1 存儲芯片產業(yè)鏈全景圖
1.3.2 存儲芯片產業(yè)鏈布局匯總
第2章 全球存儲芯片行業(yè)現狀及趨勢分析
2.1 全球存儲芯片行業(yè)發(fā)展概述
2.1.1 全球存儲芯片行業(yè)發(fā)展概況
2.1.2 全球存儲芯片行業(yè)發(fā)展歷程
2.1.3 全球存儲芯片行業(yè)發(fā)展特征
(1)產業(yè)發(fā)展具有一定的周期性
(2)行業(yè)集中度高,呈寡頭壟斷
(3)資金投入大
2.2 全球半導體產業(yè)與存儲芯片
2.2.1 全球半導體行業(yè)發(fā)展現狀
(1)全球半導體行業(yè)轉移路徑分析
(2)全球半導體行業(yè)市場規(guī)模
2.2.2 全球半導體行業(yè)結構分析
2.3 全球存儲芯片發(fā)展現狀分析
2.3.1 全球存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模
2.3.2 全球存儲芯片行業(yè)產品結構
2.3.3 全球存儲芯片行業(yè)區(qū)域分布
2.4 全球存儲芯片競爭格局分析
2.4.1 全球存儲芯片行業(yè)競爭層次
2.4.2 全球存儲芯片企業(yè)布局對比
2.4.3 全球存儲芯片企業(yè)市場份額
2.5 全球存儲芯片最新技術進展
2.5.1 3D堆疊vs工藝微縮
2.5.2 新一代存儲芯片開始量產
第3章 中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展現狀分析
3.2 中國存儲芯片發(fā)展現狀分析
3.2.1 中國半導體產業(yè)發(fā)展現狀
(1)中國半導體行業(yè)市場規(guī)模
(2)中國半導體行業(yè)進出口現狀
3.2.2 中國存儲芯片市場規(guī)模分析
3.2.3 中國存儲芯片產品結構分析
3.3 中國存儲芯片最新技術進展
3.4 中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展存在問題分析
3.4.1 技術基礎薄弱
3.4.2 市場集中度高,國內企業(yè)競爭力弱
第4章 中國存儲芯片行業(yè)競爭現狀分析
4.1 中國存儲芯片行業(yè)五力競爭分析
4.1.1 中國存儲芯片行業(yè)現有競爭者分析
4.1.2 中國存儲芯片行業(yè)供應商議價能力分析
4.1.3 中國存儲芯片行業(yè)替代品威脅分析
4.1.4 中國存儲芯片行業(yè)潛在進入者威脅分析
4.1.5 中國存儲芯片行業(yè)購買者議價能力分析
4.1.6 中國存儲芯片行業(yè)競爭情況總結
4.2 中國存儲芯片行業(yè)競爭格局分析
4.2.1 中國存儲芯片行業(yè)競爭現狀
4.2.2 中國存儲芯片企業(yè)布局對比
4.2.3 中國存儲芯片企業(yè)競爭格局
第5章 中國存儲芯片主要產品發(fā)展分析
5.1 DRAM市場發(fā)展與前景分析
5.1.1 DRAM產業(yè)發(fā)展概述
5.1.2 DRAM市場規(guī)模分析
5.1.3 DRAM市場競爭格局
5.1.4 DRAM廠商擴產情況
5.1.5 DRAM下游需求應用
5.1.6 DRAM技術發(fā)展情況
5.1.7 DRAM市場價格走勢
5.1.8 DRAM市場前景預測
5.2 NAND FLASH市場發(fā)展與前景分析
5.2.1 NAND FLASH產業(yè)發(fā)展概述
5.2.2 NAND FLASH市場規(guī)模分析
5.2.3 NAND FLASH市場競爭格局
5.2.4 NAND FLASH廠商擴產情況
5.2.5 NAND FLASH下游需求應用
5.2.6 NAND FLASH技術發(fā)展情況
5.2.7 NAND FLASH市場價格走勢
5.2.8 NAND FLASH市場前景預測
5.3 NOR FLASH市場發(fā)展與前景分析
5.3.1 NOR FLASH產業(yè)發(fā)展概述
5.3.2 NOR FLASH市場規(guī)模分析
5.3.5 NOR FLASH下游需求應用
5.3.6 NOR FLASH技術發(fā)展情況
5.3.7 NOR FLASH市場價格走勢
5.3.8 NOR FLASH市場前景預測
5.4 其他存儲芯片市場分析
第6章 全球及中國主要存儲芯片企業(yè)分析
6.1 全球主要存儲芯片企業(yè)分析
6.1.1 A
(1)企業(yè)發(fā)展簡況分析
(2)企業(yè)經營情況分析
(3)企業(yè)業(yè)務結構分析
(4)企業(yè)銷售網絡分布
(5)企業(yè)存儲芯片業(yè)務分析
(6)企業(yè)在華業(yè)務布局
6.1.2 B
6.1.3 C
6.2 國內主要存儲芯片企業(yè)分析
6.2.1 A公司
(6)企業(yè)發(fā)展優(yōu)劣勢分析
6.2.2 B公司
6.2.3 C公司
(4)企業(yè)存儲芯片業(yè)務分析
(5)企業(yè)發(fā)展優(yōu)劣勢分析
6.2.4 D公司
6.2.5 E公司
第7章 中國存儲芯片行業(yè)前景趨勢預測與投資建議
7.1 存儲芯片行業(yè)發(fā)展前景與趨勢分析
7.1.1 行業(yè)發(fā)展前景預測
(1)行業(yè)發(fā)展驅動因素分析
(2)行業(yè)發(fā)展前景預測
7.1.2 存儲芯片行業(yè)發(fā)展趨勢分析
(1)行業(yè)市場發(fā)展趨勢分析
(2)行業(yè)技術發(fā)展趨勢分析
(3)行業(yè)企業(yè)競爭趨勢分析
7.2 存儲芯片行業(yè)投資潛力分析
7.2.1 行業(yè)投資現狀分析
(1)全球存儲芯片行業(yè)投資現狀
(2)中國存儲芯片行業(yè)投資現狀
7.2.2 行業(yè)進入壁壘分析
7.2.3 行業(yè)投資風險預警
(1)政策風險
(2)技術替代風險
(3)市場風險
(4)其他風險
7.2.4 行業(yè)兼并重組分析
7.3 存儲芯片行業(yè)投資策略與建議
7.3.1 行業(yè)投資價值分析
(1)國家持續(xù)關注并大力支持存儲芯片行業(yè)的發(fā)展
(2)下游穩(wěn)步增長的終端市場需求持續(xù)推動存儲芯片行業(yè)的發(fā)展
7.3.2 行業(yè)投資機會分析
7.3.3 行業(yè)投資策略分析
7.3.4 普華有策對行業(yè)發(fā)展建議
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